新品上市-新一代高防護(hù)碳化硅產(chǎn)品煥新上市
碳化硅（SiC）器件做為第三代半導(dǎo)體，因其優(yōu)異的物理和電氣性能，正在電力電子領(lǐng)域引發(fā)技術(shù)革命，其應(yīng)用前景廣闊且深遠(yuǎn)。碳化硅器件相對(duì)傳統(tǒng)硅器件，有如下優(yōu)勢(shì)：
· 高頻高效：SiC的開(kāi)關(guān)速度比硅（Si）快10倍以上，開(kāi)關(guān)損耗降低80%，適用于高頻應(yīng)用（如MHz級(jí)電源），顯著提升系統(tǒng)效率。
· 高溫高壓：SiC擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的10倍，耐壓可達(dá)15kV以上，且能在200℃以上穩(wěn)定工作（硅器件通常限制在150℃），簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)。
· 低導(dǎo)通損耗：SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻僅為硅IGBT的1/100，降低系統(tǒng)能耗，尤其在大電流場(chǎng)景下優(yōu)勢(shì)顯著。
深圳啟點(diǎn)新能源作為有源濾波和無(wú)功補(bǔ)償專業(yè)廠家，于2025年初發(fā)布了高防護(hù)碳化硅機(jī)型，涵蓋了APF和SVG應(yīng)用。
圖為：APF/SVG 高效率高防護(hù)碳化硅機(jī)型
產(chǎn)品主要參數(shù)：
-工作電壓范圍：400V（-40%~+20%）；
-頻率范圍：（45Hz-65Hz）；
-總補(bǔ)償率：＞98%；
-損耗：＜0.99%；
-響應(yīng)時(shí)間：＜3.9mS；
-噪聲：＜53dB；
-滿足四遙功能：遙信、遙測(cè)、遙控、遙調(diào)；
-MTBF（平均無(wú)故障時(shí)間）≥10萬(wàn)小時(shí)。
關(guān)于啟點(diǎn)新能源：國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的工業(yè)電能質(zhì)量解決方案供應(yīng)商。產(chǎn)品暢銷全球多個(gè)國(guó)家，廣泛應(yīng)用于建筑，醫(yī)院，礦業(yè)、冶金、數(shù)據(jù)中心，基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。